此言一出，大家都愣住了，心说你胡一亭是牛，这我们承认，可你要挑战摩尔定律，这大话可说的太离谱了，不提高线宽的前提下，你是把设计做出花来，晶体管数量也还是那么多，怎么可能提高存储容量呢？

胡一亭知道大家的困惑，继续道：“其实方法是有的，我今天要介绍的是我思考出的一种突破闪存容量限的新技术。”

胡一亭切换PPT图片，“目前国际有些专家也对此阐述过一些技术，我总结下来有三种，一种是质子非挥发性存储器；第二种是纳米存储器；第三种是单电子存储器。

“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电是1，不带电是0，这是常识了。

我们都知道半导体有两种载流子，一种是电

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我想说的是，这些都不靠谱，至少三十年内看不到商业应用的前景，因为无论从材料学还是从工程学角度，这些目前都是科幻小说里才能实现的技术，实验室里进行少量晶体管质子存储实验，或者用一两个碳纳米管验证可存储性能，或者用精密仪器实现单电子操纵，这都可以，但一到工程行不通了，大面积的工程应用做不出来等于白说，现在谁都不知道要用怎样的设备和工艺去进行大规模制造，所以我们不要去考虑这些概念。”

胡一亭继续切换PPT，“目前我们能做的只有继续在Flash-memory技术进行发展，继续依靠半导体器件的电荷俘获原理，通过改进传统的浮栅结构，发展与普通逻辑工艺相兼容的新技术。

我个人这次发明的这种新技术，我称之为Multi-Level-Cell，简称MLC，而传统Flash-memory闪存工艺我称之为Single-Level-Cell，简称SLC。

顾名思义，这两者区别在于传统SLC是单层式存储，而我发明的MLC技术是多层式存储。”

胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。

第520章 发明MLC闪存技术 (第2/3页)

程线宽的提升是很慢的，按照摩尔定律的升级速度，晶体管数量要18个月才能翻翻，也是说闪存芯片的容量被摩尔定律锁住了。

这是不可以接受的！

至少对于我们这些搞技术的人来说是无法接受的！我们决不能被摩尔定律捆住手脚。”

赵赫激动道：“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事？是不是把两个芯片叠在一起做封装？这要怎么搞？”

胡一亭笑道：“别急别急，我这说，但不是你想的那样，pop叠层封装工艺并不能降低闪存成本，两片颗粒叠加封装只能增加单芯片容量而已，价格也只会更加昂贵，和我说的MLC构造是两码事。”

说着胡一亭切了一张自制的PPT，开始对着自己昨晚鬼画符般做出的简图介绍起MLC构造的特点来。

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